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书迷图1| (a)提出的2×2FP腔调制器示意图。戴道锌团队长期致力于高性能高集成度硅基集成光子器件及其光通信/光互连等方面应用研究，庸晚场在多模硅光子学、庸晚场片上偏振调控、硅+光子学（Silicon-plusPhotonics）等方面取得重要进展：（1）率先提出了面向片上偏振调控的硅基非对称波导及耦合结构体系，实现超小型大带宽高性能硅基片上调控器件。

此时，年改铌酸锂电光调制器尺寸往往很大。2017年获国家杰出青年科学基金，小说2021年入选美国光学会（原OSA，现称Optica）会士（Fellow）。真灾难最简单直观的设计是采用法布里-珀罗谐振腔（FP腔）。

然而，对金基于薄膜铌酸锂波导实现微腔型电光调制器仍然具有非常高的挑战性。论文对FP腔电光调制器进行了深入理论分析，书迷讨论了其调制带宽和调制效率与微腔Q值及工作波长失谐的相关性，书迷并研制了等效腔长仅~50μm的2×2FP腔调制器。

   引言超大带宽电光调制器是超高容量光互连、庸晚场太赫兹无线通信和传感系统等应用中的核心器件。

Chip是全球唯一聚焦芯片类研究的综合性国际期刊，年改是入选了国家高起点新刊计划的「三类高质量论文」期刊之一。中国科学院院士、小说发展中国家科学院(TWAS)院士和英国皇家化学会荣誉会士(HonFRSC)。

真灾难1995年获国家杰出青年基金资助。郑南峰团队目前主要研究领域为纳米表面化学，对金涉及多功能纳米颗粒，晶化的纳米孔材料和基于纳米颗粒的催化剂等新型功能材料。

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